Тороид. Производство электротехнической продукции
(49831) 4-66-21
(925) 790-73-23
toroid2011@mail.ru

Главная Продукция и услуги Статьи Полезная информация Сертификаты Награды Отзывы Контакты

Продукция и услуги

Берулава Р. Г.
Транзисторные динамические элементы и устройства
(расчет и конструирование)

БИБЛИОТЕКА ПО АВТОМАТИКЕ
Выпуск 415

ЭНЕРГИЯ
МОСКВА
1970

Редакционная коллегия: И. В. Антик, Г. Т. Артамонов, А. И. Бертинов, А. А. Воронов, Л. М. Закс, В. С. Малов, В. Э. Низе, О. В. Слежановский, Б. С. Сотсков, Ф. Е. Темников, М. Г. Чиликин, А. С. Шаталов.

Берулава Р. Г. Транзисторные динамические элементы и устройства (расчет и конструирование). М., «Энергия», 1970. Библиотека по автоматике. Выпуск 415.

В книге изложены вопросы теории, расчета, проектирования и испытания динамических (импульсных) элементов и устройств на транзисторах и импульсных трансформаторах. На основе анализа и соответствующих экспериментов сконструирована высокочастотная динамическая система элементов и устройств, превосходящая в несколько раз по быстродействию существующие аналогичные схемы и способная надежно работать в широком диапазоне температур (от —60 до +70° С).

Книга предназначена для широкого круга инженерно-технических работников, занятых разработкой, исследованием и эксплуатацией радиоэлектронных транзисторных элементов и устройств, вычислительных и управляющих средств, а также для студентов старших курсов вузов соответствующих специальностей.

Редактор Г. М. Коробочкин
Технический редактор Л. Н. Никитина
Корректор В. С. Антипова

Издательство "Энергия"

Содержание книги
Транзисторные динамические элементы и устройства

Предисловие

Введение. Двух- и четырехтактные динамические системы на транзисторах

Глава первая. Быстродействующие динамические элементы на полупроводниковых приборах
1-1. Задающий генератор (ЗГ)
1-2. Блокинг-генератор повышенной регулируемой частоты
1-3. Усилитель импульсов (У)
1-4- Усилитель-формирователь (УФ)
1-5. Усилитель мощности (УМ)
1-6. Динамический триггер (ТгД)

Глава вторая. Определение температурных коэффициентов параметров полупроводниковых приборов и трансформаторов и расчет полей допусков на выходные параметры полупроводниковых динамических элементов в температурном диапазоне —60 … +70° С
2-1. Погрешности электрических цепей и исходные уравнения
2-2. Определение полей допуска на параметры транзисторов для расчета допусков электрических схем в температурном интервале
2-3. К вопросу температурной нестабильности рабочей частоты
2-4. Расчет величин ТКИ, полей допусков и температурных коэффициентов параметров
2-5 Относительная температурная нестабильность коэффициентов трансформации и временных параметров трансформаторов
2-6. Система уравнений погрешностей коэффициента усиления выходного каскада, напряжений питания и смещения (из условий надежности режима), обусловленных температурным воздействием среды
2-7. Расчет средних значений ТК и полей допусков на основные параметры схем ТгД (ССп-1) в интервале температур —60-f- +70° С. Анализ полученных результатов
2-8. Расчет допуска на параметры усилителя импульсов и усилителя-формирователя в условиях надежности режима
2-9. Расчет допуска на основные параметры усилителя мощности
2-10. Расчет допуска на основные параметры задающего генератора
2-11. Заключение

Глава третья. Узловые устройства электронных цифровых вычислительных машин на высокочастотных динамических элементах
3-1. Параллельный сумматор с независимым переносом на динамических элементах
3-2. Генератор импульсов ГИ и ГИС
3-3. Работа динамических элементов в различных вычислительных схемах

Литература

ПРЕДИСЛОВИЕ

Автор искренне благодарит члена-корреспондента АН СССР Б. С. Сотскова за внимание, оказанное автору при написании этой книги. Автор признателен доктору техн. наук И. В. Прангишвили, ведущему конструктору В. Б. Богомякову и ©сему коллективу отдела элементов Института проблем управления АН СССР, поддержавших автора на первой стадии работы.

Автор считает овоим приятным долгом особо поблагодарить рецензента В. И. Геворкяна, ценные советы и замечания .которого способствовали улучшению содержания книги.

Большую работу сделали И. Квачахия и инж. Р. 3. Хомерики, за что автор выражает свою благодарность.

Автор

ВВЕДЕНИЕ. ДВУХ- И ЧЕТЫРЕХТАКТНЫЕ ДИНАМИЧЕСКИЕ СИСТЕМЫ НА ТРАНЗИСТОРАХ

Наряду с распространенной полупроводниковой статической вычислительной системой элементов и устройств заслуживает внимания динамическая (импульсная) система элементов и устройств. Основные достоинства последних — простота и надежность. Так, динамический триггер использует один транзистор, трансформатор, основной конденсатор; в состоянии 0 энергия источника батареи не расходуется и др. Транзисторные динамические системы находят широкое применение в цифровых интегрирующих машинах (цифровых дифференциальных анализаторах), в специализированных вычислительных устройствах и др.

В настоящее время известны одно-, двух- и четырехтактные транзисторные динамические системы элементов и устройств. В таких системах для запоминания информации могут быть использованы конденсатор, линия задержки, заряд, накопленный в базе транзистора, колебательный контур. Наиболее перспективными и распространенными из них являются динамические системы с запоминающим конденсатором и управлением заряда базы транзистора. Однако в существующей литературе отсутствует методика расчета элементов с управлением зарядом базы, поскольку учет всех основных факторов при переходных процессах очень сложен и, в частности, требует решения нелинейных уравнений высших порядков.

Динамические системы элементов с запоминающим конденсатором исследованы наиболее полно. Это в основном касается двух- и четырехтактных систем элементов. В данной книге исследуется однотактная быстродействующая система.

Динамические системы на линиях задержки и с колебательным контуром из-за повышенных требований к длительности и фазиров-ке рабочих импульсов, а также громоздкости радиодеталей менее практичны. Системы на линиях задержки, так же как и динамические системы на конденсаторах, имеют невысокую рабочую частоту, около II Мгц (исключение составляет сложная система с рабочей частотой в 3,3 Мгцу разработанная в Институте электронных управляющих машин [Л. 1]. Например, основной динамический элемент содержит 2 транзистора, 4 трансформатора, 28 диодов и др.).

В данной книге проводится теоретическое исследование и рассматривается вопрос конструирования комплекса однотактных динамических высокочастотных элементов и устройств (с основной рабочей частотой 5 Мгц)\ исследование надежности режимов работы элементов в широких пределах рабочих частот (3,3 и 6,3 Мгц) и температуры среды (от ^60 до +70°С) с учетом зависимости внутренних электрических и импульсных параметров полупроводниковых приборов (транзисторы, диоды) и импульсных трансформаторов, а также других схемных параметров (резисторы, индуктивности, эталонные и паразитные емкости, коэффициенты трансформации и т. д.) от температуры среды; разработка узловых высокочастотных вычислительных устройств, максимально использующих частотные возможности элементов, возможность электрической взаимозаменяемости элементов, входящих в устройства, возможность уменьшения экспериментальных наладочно-регулировочных работ на этапах разработки, производства и эксплуатации схем в широком диапазоне температур.

Указанные исследования уже проводились для элементов и схем, работающих на более низких частотах.

Так как воздействие температуры среды является одной из главных причин уменьшения надежности режима любых полупроводниковых схем, естественно, следует уделить достаточное внимание оценке вызываемой температурой погрешности и определению электрических допусков на выходные параметры схем. Задача определения электрических допусков некоторых схем на транзисторах без учета влияния температуры на внутренние электрические и импульсные параметры транзисторов и трансформаторов была поставлена в работах [Л. 26, 27].

В книге приводятся материалы, восполняющие этот пробел. Определяются температурные коэффициенты электрических параметров диффузионных транзисторов (сопротивления вывода базы, емкости коллекторного перехода, входной и выходной емкости, граничной частоты, коэффициента усиления по току, крутизны и т. д.), а также импульсные параметры транзистора, диода, трансформатора и другие параметры схемы. Анализ результатов показывает, что в некоторых случаях из-за температурных воздействий среды на режим работы схем внутренние параметры полупроводниковых приборов оказывают более существенное влияние, чем основные детали и параметры схем (резисторы, -конденсаторы, индуктивность намагничивания, коэффициент трансформации и т. д.).

Скачать книгу "Транзисторные динамические элементы и устройства". Москва, Издательство "Энергия", 1970

143502 МО, г.Истра-2, ул. Заводская, 43А. Тел. (49631) 4-66-21. E-mail: toroid2011@mail.ru