Готра З.Ю.
Справочник по технологии микроэлектронных устройств
ЛЬВОВ
ИЗДАТЕЛЬСТВО «КАМЕНЯР»
1986
В справочнике приводятся данные о материалах, которые применяются при производстве микроэлектронных устройств, о способах очистки, механической, химической и электромеханической обработки. Рассмотрены вопросы диффузии, эпитак-сии, выращивания монокристаллов полупроводников, вакуумного напыления, литографии и сборки в производстве микроэлектронных устройств. Для специалистов, работающих в области технологии микроэлектронных устройств, может быть полезен учащимся профтехучилищ соответствующего профиля.
Рецензенты:
лектор технических наук, профессор С. В. ДЕНБНОВЕЦКИИ;
доктор физико-математических наук, профессор У. Г. ШЕИН
Специальный редактор И. В. Петрович
Редакторы И. В. Гущак, А. А. Черняк
Художник Б. В. Великоголова
Художественный редактор Б. Р. Пикулицкий
Технический редактор Ц. А. Буркитоеская
Корректор И. И. Микита
Издательство «Каменяр»
Содержание книги
Справочник по технологии микроэлектронных устройств
Предисловие
Глава 1. Основные материалы для полупроводниковых микроэлектронных устройств
1.1. Структура кристаллического твердого тела
1.2. Полупроводниковые материалы
1.3. Электродные материалы
Глава 2. Методы получения, очистки и легирования полупроводниковых материалов
2.1. Методы направленной кристаллизации из расплавов
2.2. Методы получения равномерно легированных монокристаллов полупроводников
2.3. Программирование кристаллизационного процесса (изменение условий роста монокристаллов)
2.4. Маркировка и основные свойства поликристаллических и монокристаллических полупроводников
Глава 3. Механическая обработка полупроводниковых материалов
3.1. Кристаллографическая ориентация полупроводниковых слитков
3.2. Материалы для наклейки слитков, пластин и кристаллов
3.3. Виды резки полупроводниковых материалов
3.4. Материалы для механической шлифовки и полировки полупроводниковых материалов
3.5. Шлифовка и полировка пластин
3.6. Разделение пластин
Глава 4. Полупроводниковые подложки и физико-химические методы обработки их поверхности
4.1. Требования к полупроводниковым подложкам
4.2. Методы контроля качества полупроводниковых подложек
4.3. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников
4.4. Геттерирование примесей и дефектов в полупроводниковых подложках
4.5. Методы получения окисных пленок кремния
Глава 5. Диффузия в полупроводниках
5.1. Физические основы процесса диффузии
5.2. Материалы для проведения диффузионных процессов в полупроводниках
5.3. Способы проведения диффузии
Глава 6. Технология эпитаксиальных слоев
6.1. Физические основы процесса эпитаксии
6.2. Методы проведения эпитаксии
6.3. Легирование в процессе эпитаксии
6.4. Контроль параметров эпитаксиальных слоев
Глава 7. Фотошаблоны и технология их изготовления
7.1. Классификация фотошаблонов и общая технологическая схема их изготовления
7.2. Основное технологическое оборудование для изготовления фотошаблонов
7.3. Металлизированные фотошаблоны
7.4. Цветные фотошаблоны
Глава 8. Литографические процессы в технологии микроэлектронных устройств
8.1. Фотолитография
8.2. Электронно-лучевая литография (ЭЛЛ)
8.3. Рентгеновская литография
8.4. Ионно-лучевая и голографическая литография
8.5. Процессы травления в литографии
Глава 9. Методы и средства получения тонких пленок
9.1. Термовакуумный метод получения тонких пленок
9.2. Методы осаждения пленок из ионизированных потоков многоатомных частиц
9.3. Метод ионного покрытия
9.4. Осаждение пленок из ионных пучков
9.5. Катодное, ионно-плазменное и магнетронное распыление
9.6. Технология и параметры проводящих, резистивных тонких пленок
Глава 10. Сборка микроэлектронных устройств
10.1. Крепление кристаллов и контактирование выводов
10.2. Ультразвуковая сварка
10.3. Технология термокомпрессионной и УЗ сварки
10.4. Припои и технология пайки при сборке МЭУ
10.5. Беспроволочный монтаж элементов МЭУ
Литература
ПРЕДИСЛОВИЕ
Одним из важнейших направлений научно-технического прогресса для повышения технического уровня производства является электроника. Современные достижения в этой области базируются на основе микроэлектронной технологии. Основными направлениями экономического и социального развития СССР на 1S86—1990 годы и на период до 2000 года предусмотрено широкое развитие микроэлектронной технологии, включающей электронно-лучевые, плазменные, химические и другие методы обработки, которые обеспечивают создание новых перспективных элементов и узлов на основе последних достижений физики твердого тела, полупроводников и диэлектриков.
В основе микроэлектронной технологии лежат методы и средства создания монокристаллических структур, получение р-п-переходов методами диффузии, эпитаксии, ионного легирования и другими, создание конфигурации средствами фото,— рентгено-, электронной, ионной литографии. Использование в микроэлектронной технологии энергии лазерного, электрон но-лучевого, плазменного излучения обеспечивает получение заданных электрофизических параметров элементов в микроэлектронных устройствах.
В данном справочнике рассмотрены свойства, основные явления и процессы, лежащие в основе получения материалов для микроэлектронных устройств с заданными свойствами. Систематизированы основные проводниковые, резнстивные и полупроводниковые материалы, приведены методы нх получения и обработки. Рассмотрены вопросы выращивания монокристаллов полупроводников, диффузии, эпитаксии в производстве микроэлектронных приборов, в том числе тонкопленоч-ьой технологии. Приведены конструктивно-технологические особенности межсоединений в микроэлектронных устройствах, рассмотрены вопросы их сборки и герметизации.
Справочник предназначен для специалистов, работающих в области технологии мнкроэлектронных устройств, может быть полезен учащимся профтехучилищ соответствующего профиля.
ЛИТЕРАТУРА
1. Березин В. Б., Прохоров Н. С, Рыков Г. А., Xайкин А. М. Электротехнические материалы: Справ. М.: Энергоатомиздат, 1983. 504 с.
2. Броудай, Дж. Мерей. Физические основы микротехнологии. М.: Мир, 1985. 496 с.
3. Введение в фотолитографию / Под ред. Лаврищева В П М: Энергия, 1977. 400 с.
4. Волков В. А. Сборка и герметизация микроэлектрониых устройств. М.: Радио и связь, 1982. 144 с.
5. Гимпельсон В. Д. Технологическое оборудование для производства гибридных иитегральных микроузлов. М.: Машиностроение, 1975. 60 с.
6. Грицкевич Р. К., Обухов В. Г., Тогицкий Э. И. Ионно-пластерный и автоэмиссионный методы получения пленок // Зарубежная электронная техника. 1982. № 8. С. 3—26.
7. Данилин Б. С. Нанесение тонких пленок в производстве интегральных микросхем // Итоги науки и техники. Сер. Электроника, М.: ВИНИТИ, 1984. Т. 16. С. 145—179.
8. Курносов А. И. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Высш. шк. 1980. 327 с.
9. Лабунов В. А., Баранов И. Л., Бондаренко В. П., Дорофеев А. Н. Современные методы геттерирования в технологии полупроводниковой электротехники // Зарубежная электронная техника. 1983. № 11. С. 3—66.
10. Мазур А. И., Алехин В. П., Шоршоров М. X. Процессы сварки и пайки в производстве полупроводниковых приборов. М.: Радио и связь, 1981. 224 с.
11. Материалы в приборостроении и автоматике: Справ./Под ред. Пятина Ю. М. М.: Машиностроение, 1982. 528 с.
12. Курносов А. И., Юдин В. В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Высш. шк.,1979. 367 с.
13. Мокеев О. К., Романов А. С. Химическая обработка и фотолитография в производстве полупроводниковых приборов и микросхем. М.: Высш. шк., 1979. 272 с.
14. Нашельский А. Я. Монокристаллы полупроводников. М.: Металлургия, 1978. 200 с.
15. Пресс Ф. П. Фотолитографические методы в технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Сов. радио, 1978. 96 с.
16. Слуцкая В. В. Тонкие пленки в технике СВЧ. М.: Сов радио, 1967. 456 с.
17. Справочник по пайке/Под ред. Петрунина И. Е. М.: Машиностроение, 1984. 384 с.
18. Таблицы физических величин: Справ./Под ред. Кикоина И. К. М.: Атомиздат, 1976, 1008 с.
19. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников/Под ред. Луфт Б. Д. М.: Радио и связь, 1982. 136 с.
20. Ханке X. И., Фабиа X. Технология производства радиоэлектронной аппаратуры / Под ред. Черняева В. Н. М.: Энергия, 1980. 464 с.
21. Хряпин В. Е. Справочник паяльщика. М.: Машиностроение, 1981. 34.8 с.
22. Электронно-лучевая технология в изготовлении микроэлектронных приборов / Под ред. Дж. Р. Брюэра. М.: Радио и связь. 1984, 336 с.
Скачать книгу "Справочник по технологии микроэлектронных устройств". Львов, издательство Каменяр, 1986
|
