Тороид. Производство электротехнической продукции
(49831) 4-66-21
(925) 790-73-23
toroid2011@mail.ru

Главная Продукция и услуги Статьи Полезная информация Сертификаты Награды Отзывы Контакты

Продукция и услуги

Хауэс М., Морган Д.
Полупроводниковые приборы в схемах СВЧ

Перевод с английского под редакцией д-ра физ. мат. наук В. С. ЭТКИНА

Microwave Devices
Device Circuit Interactions
Edited by M. J. Howes D. V. Morgan
Department of Electricaland Electronic Engineering, University Of Leeds
A Wiley—Interscience Publication
JOHN WILEY & SONS
London • New York Sydney • Toronto
1976

Издательство Мир
Москва 1979

Предлагаемая читателю книга отражает прогресс твердотельной СВЧ-электроники в интенсивно развивающейся области твердотельных усилителей и генераторов СВЧ.

В этой монографии впервые столь подробно рассматриваются принципы действия, схемные реализации и особенности применения широкого набора приборов, таких, как биполярные и полевые СВЧ-транзисторы, лавинно-пролетные и инжекционно-пролетные диоды, диоды с переносом электронов (диоды Ганна).

Книга написана крупными учеными, исследования которых охватывают все основные разделы этой новой области. Уровень изложения книги позволяет ее использовать как специалистам в области твердотельной СВЧ-электроники, так и все возрастающему отряду молодых исследователей, только приступающих к освоению и применению твердотельных СВЧ-приборов и устройств.

Редакция литературы по новой технике
© Перевод на русский язык, «Мир», 1979

Содержание книги
Полупроводниковые приборы в схемах СВЧ

От редактора перевода
Предисловие к серии
Предисловие

Глава 1. История развития полупроводниковой СВЧ-электроники
1.1. Введение
1.2. СВЧ-приборы
1.3. Полупроводниковые СВЧ-приборы

Глава 2. Приборы, основанные на эффекте междолинного переноса электронов
2.1. Введение
2.2. Принцип действия приборов, основанных на эффекте междолинного переноса электронов
2.3. Режимы работы
2.4. Эпитаксиальное наращивание и технология изготовления приборов
2.5. Предельные параметры приборов
2.6. Полоса перестройки и шумы

Глава 3. Лавинно-пролетные и инжекционно-пролетные приборы
3.1. Введение
3.2. Основные явления в полупроводниках в области сильных полей
3.3. Динамические характеристики гипотетического униполярного диода, в котором носители дрейфуют со скоростью насыщения
3.4. Лавинно-пролетные диоды
3.5. Инжекционно-пролетные диоды
3.6. ТРАПАТТ-диод
3.7. Технология изготовления

Глава 4. СВЧ-транзисторы
4.1. Введение
4.2. Биполярные СВЧ-транзисторы
4.3. Полевые транзисторы
4.4. Малошумящие транзисторы
4.5. Мощные транзисторы
4.6. Технология изготовления
4.7. Перспективы усовершенствования транзисторов

Глава 5. Колебательные системы твердотельных СВЧ-генераторов
5.1. Теория
5.2. Практические колебательные системы генераторов
5.3. Измерения

Глава 6. Твердотельные усилители СВЧ-диапазона
6.1. Введение
6.2. Общие характеристики высокочастотных усилителей
6.3. Усилители на диодах Ганна (усилители Ганна)
6.4. Усилители на инжекционно-пролетных диодах
6.5. Усилители на основе структур, использующих лавинную инжекцию
6.6. Сравнительные характеристики усилителей на диодах Ганна

Глава 7. Применение твердотельных СВЧ-устройств
7.1. Введение
7.2. Мощные устройства
7.3. Приемники СВЧ
7.4. Твердотельные устройства СВЧ в системах связи
7.5. Твердотельные СВЧ-устройства в радиолокационных системах
7.6. РЛС с активным ответчиком и микроволновые системы управления
7.7. Фазированные антенные решетки
7.8. Измерения на СВЧ и широкополосные компоненты

ОТ РЕДАКТОРА ПЕРЕВОДА

В предлагаемой читателю книге по полупроводниковым приборам СВЧ и проектированию схем с их использованием рассматривается в основном интенсивно развивающееся в последние годы направление этой области техники — твердотельные источники мощности. Отдельная глава знакомит с практическим применением твердотельных компонентов.

За годы, прошедшие после выхода книги в свет, исследования в области твердотельных СВЧ-устройств привели, как свидетельствуют зарубежные источники, к новым результатам. Так, существенно улучшились параметры смесительных устройств, усилителей на полевых транзисторах (ПТ) [1, 5}. Наиболее значительные успехи связаны с применением ПТ, для которых частота 20 ГГц уже не является предельной. Созданы малошумящие усилители на ПТ с шумами 0,73; 1,25; 2; 2,2; 3,5 дБ на частотах соответственно 4, 6, 10, 14, 18 ГГц. Ожидается, что в 1979 г. станет возможным реализовать усилители на ПТ с уровнем шумов 0,5; 1,5—2 и 2,2 дБ на частотах соответственно 4, 12 и 18 ГГц [2, 5, 7]. Создание малошумящих УВЧ на ПТ открывает новые горизонты в технике СВЧ. Так, становится реальным проектирование многоканальных активных фазированных антенных решеток с малым потреблением мощности* небольшими габаритами и весом, что особенно ценно для аэрокосмических систем.

Появление таких УВЧ делает применение параметрических усилителей во многих случаях нецелесообразным, особенно в длинноволновой части диапазона сантиметровых волн. Открываются возможности по созданию малошумящих широкополосных супергетеродинных приемников миллиметровых волн с СВЧ промежуточной частотой, по конструированию гибридных и монолитных интегральных схем с ПТ на СВЧ [1,2].

Универсальность полевых транзисторов проявляется и в достижении с их помощью достаточно высокой мощности генерирования в сантиметровом диапазоне волн. В 1977 г. на одиночном транзисторе на частоте 8 ГГц была получена выходная мощность 1 Вт, а в 1978 г.— 2,5 Вт. Ожидается, что в 1983 г. будет достигнут уровень мощности 5 Вт на частоте 20 ГГц [3—6].

Наибольший интерес вызывают научные результаты последних лет, относящиеся к гармоническим преобразователям частоты на диодах с барьером Шоттки в миллиметровом диапазоне волн. Здесь за счет высокой нелинейности и уменьшения потерь в диоде удалось добиться того, что потери преобразования в гармонических преобразователях убывают с возрастанием номера гармоники существенно медленнее, чем в смесителях на простых точечных диодах [2].

Можно надеяться, что предложенная читателю книга будет полезной как исследователям и разработчикам твердотельных схем и приборов СВЧ, так и тем, кто лишь соприкасается с этой областью техники в процессе своей деятельности.

Перевод книги выполнен канд. техн. наук Е. М. Атаковой, канд. физ.-мат. наук В. М. Вальд-Перловым, д-ром физ.-мат. наук И. И. Минаковой и канд. физ.-мат. наук В. Г. Еленским.

В. С. Эткин

Литература

1. Okean H. С, Kelly A. I., Low Noise Receiver Design Trends. Using State-of-the-Art Building Blocks, IEEE Trans., MTT-25, № 4, 254 (1977).
2. Whelean I. I., Low Noise Millimeter Wave Receivers, IEEE Trans., MTT-25, № 4, 268 (1977).
3. 1 Watt 8GHz Power GaAs FETs, Microwave /., № 7, 37 (1977).
4. Masumi Fukuta, Katsuhiko Suyama et all., GaAs Microwave Power FET, IEEE Trans, ED-23, № 4, (1976).
5. GaAs FETs Market and Technology Review, Microwave /., 21, 2, 22 (1978).
6. 2,5 Watts 8 GHz Power GaAs FETs, Microwave /., 21, 2, 38, (1978).
7. Di Lorenzo I. V., GaAs FET Development — Low Noise and High Power, Microwave /., 21, 2, 39 (1978).

Скачать книгу "Полупроводниковые приборы в схемах СВЧ". Москва. Издательство "Мир", 1976

143502 МО, г.Истра-2, ул. Заводская, 43А. Тел. (49631) 4-66-21. E-mail: toroid2011@mail.ru